Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 5HN01M-TL-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2918538Obraz 5HN01M-TL-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

5HN01M-TL-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    5HN01M-TL-E
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    5HN01M-TL-E.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-MCP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.5 Ohm @ 50mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    150mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6.2pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „5HN01M-TL-E”.
5HN01SS-TL-E

5HN01SS-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFT26N60P

IXFT26N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
5HN01SS-TL-H

5HN01SS-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

Opis: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
5HN01C-TB-H

5HN01C-TB-H

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SMD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPD15P10PGBTMA1

SPD15P10PGBTMA1

Opis: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
5HN01M-TL-H

5HN01M-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTV200N10TS

IXTV200N10TS

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
5HN01C-TB-EX

5HN01C-TB-EX

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA CP3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7

Opis: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDPF12N35

FDPF12N35

Opis: MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3

Opis: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVMFS5C442NWFAFT3G

NVMFS5C442NWFAFT3G

Opis: MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTP180N055T

IXTP180N055T

Opis: MOSFET N-CH 55V 180A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
5HN01C-TB-E

5HN01C-TB-E

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA CP3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
5HN01S-TL-E

5HN01S-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFA16N50P3

IXFA16N50P3

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NTMFD4951NFT3G

NTMFD4951NFT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF520PBF

IRF520PBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDP2710-F085

FDP2710-F085

Opis: MOSFET N-CH 250V 4A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.