Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 3SK263-5-TG-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6654734Obraz 3SK263-5-TG-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3SK263-5-TG-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    3SK263-5-TG-E
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    FET RF 15V 200MHZ CP4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    6V
  • Napięcie - znamionowe
    15V
  • Typ tranzystora
    N-Channel Dual Gate
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    4-CP
  • Seria
    -
  • Moc - Wyjście
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-253-4, TO-253AA
  • Inne nazwy
    3SK263-5-TG-E-ND
    3SK263-5-TG-EOSTR
  • noise Figure
    2.2dB
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Zdobyć
    21dB
  • Częstotliwość
    200MHz
  • szczegółowy opis
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP
  • Aktualna ocena
    30mA
  • Obecny - Test
    10mA
CLF1G0035S-100PU

CLF1G0035S-100PU

Opis: RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

Producenci: Ampleon
Na stanie
3SK294(TE85L,F)

3SK294(TE85L,F)

Opis: FET RF 12.5V 500MHZ USQ

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
BLF6G05LS-200RN,11

BLF6G05LS-200RN,11

Opis: RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B

Producenci: Ampleon
Na stanie
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

Opis: FET RF 12.5V 800MHZ USQ

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
PXAC241702FC-V1-R250

PXAC241702FC-V1-R250

Opis: IC AMP RF LDMOS

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
PXAC201602FC-V1-R0

PXAC201602FC-V1-R0

Opis: IC AMP RF LDMOS H-37248-4

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
BG3130RE6327BTSA1

BG3130RE6327BTSA1

Opis: MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
PTRA094808NF-V1-R5

PTRA094808NF-V1-R5

Opis: IC RF LDMOS FET 6HBSOF

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
BLF246B,112

BLF246B,112

Opis: RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A

Producenci: Ampleon
Na stanie
NE55410GR-AZ

NE55410GR-AZ

Opis: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
3SK264-5-TG-E

3SK264-5-TG-E

Opis: FET RF 15V 200MHZ CP4

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ON5407,135

ON5407,135

Opis: MOSFET RF SOT223 SC-73

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
STAC2942B

STAC2942B

Opis: TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
BLF6H10L-300P

BLF6H10L-300P

Opis: RF FET

Producenci: Ampleon
Na stanie
3SK292(TE85R,F)

3SK292(TE85R,F)

Opis: MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
PTRA083818NF-V1-R5

PTRA083818NF-V1-R5

Opis: IC RF LDMOS FET 6HBSOF

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
BLA6G1011LS-200RG,

BLA6G1011LS-200RG,

Opis: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C

Producenci: Ampleon
Na stanie
PXFC212551SCV1R250XTMA1

PXFC212551SCV1R250XTMA1

Opis: IC AMP RF LDMOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
ARF445

ARF445

Opis: PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH SMQ

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść