Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2SK3821-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1980664

2SK3821-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2SK3821-E
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 40A SMP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    2SK3821-E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    33 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.65W (Ta), 65W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-220-3, Short Tab
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4200pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    73nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole SMP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    40A (Ta)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2SK3821-E”.
2SK3901(0)-ZK-E1-AY

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SK3826

2SK3826

Opis: MOSFET N-CH 100V 26A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3827

2SK3827

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3899(01)-ZK-E1-AY

2SK3899(01)-ZK-E1-AY

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SK3814(0)-Z-E1-AZ

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SK3820-DL-1E

2SK3820-DL-1E

Opis: MOSFET N-CH 100V 26A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3892

2SK3892

Opis: MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SK3820-DL-E

2SK3820-DL-E

Opis: MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SK3814(01)-Z-E1-AZ

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SK3817-DL-E

2SK3817-DL-E

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3824

2SK3824

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3868(Q,M)

2SK3868(Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3844(Q)

2SK3844(Q)

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3814(0)-Z-E2-AZ

2SK3814(0)-Z-E2-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SK3823

2SK3823

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3821-DL-E

2SK3821-DL-E

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3816-DL-E

2SK3816-DL-E

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3816-DL-1EX

2SK3816-DL-1EX

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.