Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - JFET > 2SK3666-3-TB-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7002278Obraz 2SK3666-3-TB-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SK3666-3-TB-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.49
10+
$0.347
100+
$0.228
500+
$0.135
1000+
$0.104
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2SK3666-3-TB-E
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    2SK3666-3-TB-E.pdf
  • Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id
    180mV @ 1µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-CP
  • Seria
    -
  • Resistance - RDS (on)
    200 Ohms
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    869-1107-1
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    4 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
  • Pobór prądu (Id) - Max
    10mA
  • Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
    1.2mA @ 10V
  • Podstawowy numer części
    2SK3666

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2SK3666-3-TB-E”.
2SK3703-1E

2SK3703-1E

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Opis: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3670,F(J

2SK3670,F(J

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

Opis: JFET N-CH 30V 0.2W CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3703

2SK3703

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3565(Q,M)

2SK3565(Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3670(F,M)

2SK3670(F,M)

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3566(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3546J0L

2SK3546J0L

Opis: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SK3670(T6CANO,A,F

2SK3670(T6CANO,A,F

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

Opis: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

Opis: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3703-1EX

2SK3703-1EX

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3670(T6CANO,F,M

2SK3670(T6CANO,F,M

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SK3547G0L

2SK3547G0L

Opis: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SK354700L

2SK354700L

Opis: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SK3704

2SK3704

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Opis: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.