Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - RF > 1SS351-TB-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1231100Obraz 1SS351-TB-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1SS351-TB-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.57
10+
$0.487
100+
$0.363
500+
$0.286
1000+
$0.221
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1SS351-TB-E
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 30MA 5V CP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1SS351-TB-E.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    5V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-CP
  • Seria
    -
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    1SS351-TB-EOSDKR
  • temperatura robocza
    125°C (TJ)
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Schottky - 1 Pair Series Connection
  • szczegółowy opis
    RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 5V 30mA 3-CP
  • Obecny - Max
    30mA
  • Pojemność @ VR F
    0.9pF @ 0.2V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1SS351-TB-E”.
1SS301SU,LF

1SS301SU,LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS315TPH3F

1SS315TPH3F

Opis: DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS356TW11

1SS356TW11

Opis: DIODE SW 35V 100MA 2UMD TR

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS361,LJ(CT

1SS361,LJ(CT

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS309(TE85L,F)

1SS309(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS306TE85LF

1SS306TE85LF

Opis: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS355 RRG

1SS355 RRG

Opis: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1SS355-TP

1SS355-TP

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1SS307(TE85L,F)

1SS307(TE85L,F)

Opis: DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS355WTE-17

1SS355WTE-17

Opis: DIODE GEN PURPOSE

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
1SS302TE85LF

1SS302TE85LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS352,H3F

1SS352,H3F

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS308(TE85L,F

1SS308(TE85L,F

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS360(T5L,F,T)

1SS360(T5L,F,T)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS355TE-17

1SS355TE-17

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
1SS302A,LF

1SS302A,LF

Opis: DIODE SW 80V 100MA USM SC70

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F)

Opis: DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.