Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4446_T50R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5637493Obraz 1N4446_T50R.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4446_T50R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4446_T50R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 20mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-35
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    4ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    175°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25nA @ 20V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    200mA
  • Pojemność @ VR F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    1N4446
1N4448

1N4448

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4448 BK

1N4448 BK

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
1N4446TR

1N4446TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4446

1N4446

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4448,133

1N4448,133

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Producenci: Nexperia
Na stanie
1N4447TR

1N4447TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4446

1N4446

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4447

1N4447

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4437_FT

1N4437_FT

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4436

1N4436

Opis: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4448 TR

1N4448 TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor Corp
Na stanie
1N4447

1N4447

Opis: DIODE GEN PURP 100V DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4446 BK

1N4446 BK

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N4448

1N4448

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4444-1

1N4444-1

Opis: DIODE SWITCHING

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4385GPHE3/54

1N4385GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4385GP-E3/54

1N4385GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4446 TR

1N4446 TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
1N4448,113

1N4448,113

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść