Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4150_T50A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
366560Obraz 1N4150_T50A.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4150_T50A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4150_T50A
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N4150_T50A.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 200mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    50V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-35
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    6ns
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    175°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100nA @ 50V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    200mA
  • Pojemność @ VR F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    1N4150

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N4150_T50A”.
1N4150W-G3-18

1N4150W-G3-18

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4150UR-1

1N4150UR-1

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N4151W-G3-08

1N4151W-G3-08

Opis: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4151W-G3-18

1N4151W-G3-18

Opis: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4150W-E3-18

1N4150W-E3-18

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4151TAP

1N4151TAP

Opis: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4151

1N4151

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4151

1N4151

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4150TR_S00Z

1N4150TR_S00Z

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4150_S62Z

1N4150_S62Z

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4150_T50R

1N4150_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4150W-G3-08

1N4150W-G3-08

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4151W-E3-08

1N4151W-E3-08

Opis: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4151TR

1N4151TR

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4150_T26A

1N4150_T26A

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4150W-E3-08

1N4150W-E3-08

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4151TR

1N4151TR

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N4151W-E3-18

1N4151W-E3-18

Opis: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.