Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Karta Linii > SemiQ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski

SemiQ

Poproś o wycenę
SemiQ

Wstęp

SemiQ - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), założona w 2007 roku, jest zintegrowaną firmą zajmującą się rozwojem i produkcją, dedykowaną produktom opartym na technologiach węgliku krzemu (SiC). Produkty te będą podstawą dla energoelektroniki i przemysłu energetycznego w przyszłych latach, w których potrzebne są zaawansowane technologie w zakresie taniego, wysoce wydajnego wytwarzania, konwersji i transmisji.

Powiązane wiadomości

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovation in Electronics Technology

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electronics industry

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its Future Development

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12
Kategoria
7
Produkty
373

Dyskretne produkty półprzewodnikowe

Produkty powiązane

GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2D020A120A

GP2D020A120A

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2D010A120U

GP2D010A120U

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Opis: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD060A008S1-D3

GSXD060A008S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD080A020S1-D3

GSXD080A020S1-D3

Opis: DIODE 200V 80A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GHXS045A120S-D4

GHXS045A120S-D4

Opis: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD050A020S1-D3

GSXD050A020S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Opis: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD060A018S1-D3

GSXD060A018S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

Opis: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M007A080F

GP2M007A080F

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD060A020S1-D3

GSXD060A020S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP3D050A060B

GP3D050A060B

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD080A012S1-D3

GSXD080A012S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD080A006S1-D3

GSXD080A006S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GHIS030A120S-A2

GHIS030A120S-A2

Opis: IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Opis: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD050A004S1-D3

GSXD050A004S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GHIS080A060S-A1

GHIS080A060S-A1

Opis: IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Opis: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M016A060H

GP1M016A060H

Opis: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Opis: IGBT MODULE 1200V 170A

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GCMS080A120S1-E1

GCMS080A120S1-E1

Opis: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Opis: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2D010A065C

GP2D010A065C

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2D020A120B

GP2D020A120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Opis: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GCMS008A120B1B1

GCMS008A120B1B1

Opis: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GHIS060A060S-A2

GHIS060A060S-A2

Opis: IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD160A015S1-D3

GSXD160A015S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GCMS080A120B3C1

GCMS080A120B3C1

Opis: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GDP24D060B

GDP24D060B

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GHXS050A060S-D3

GHXS050A060S-D3

Opis: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2D010A120A

GP2D010A120A

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXD120A008S1-D3

GSXD120A008S1-D3

Opis: DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Opis: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GSXF100A120S1-D3

GSXF100A120S1-D3

Opis: DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GDP15S120B

GDP15S120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GCMS040A120B3C1

GCMS040A120B3C1

Opis: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
GCMS010A120S7B1

GCMS010A120S7B1

Opis: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.