Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > W988D2FBJX6E TR

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

6825669

Obraz W988D2FBJX6E TR.

Winbond Electronics Corporation

W988D2FBJX6E TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$2.944

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

W988D2FBJX6E TR
Producent / marka

Winbond Electronics Corporation
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

W988D2FBJX6E TR.pdf
Zapisać czas cyklu - słowo, strona

15ns
Napięcie - Dostawa

1.7 V ~ 1.95 V
Technologia

SDRAM - Mobile LPSDR
Dostawca urządzeń Pakiet

90-VFBGA (8x13)
Seria

-
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

90-TFBGA
Inne nazwy

W988D2FBJX6E TR-ND
W988D2FBJX6ETR
temperatura robocza

-25°C ~ 85°C (TC)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

3 (168 Hours)
Typ pamięci

Volatile
Rozmiar pamięci

256Mb (8M x 32)
Interfejs pamięci

Parallel
Format pamięci

DRAM
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
Częstotliwość zegara

166MHz
Czas dostępu

5.4ns

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „W988D2FBJX6E TR”.

W987D6HBGX6E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D6FBGX7E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D6FBGX6I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D6HBGX6I

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D6HBGX7E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D2FBJX6E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D2HBJX7E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D6FBGX6E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D2FBJX6I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D2FBJX7E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.