Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > W979H2KBQX2I
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6441107

W979H2KBQX2I

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
168+
$6.886
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    W979H2KBQX2I
  • Producent / marka
    Winbond Electronics Corporation
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    W979H2KBQX2I.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    168-WFBGA (12x12)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    168-WFBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (16M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12)
  • Częstotliwość zegara
    400MHz

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „W979H2KBQX2I”.
W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W978H2KBQX2I

W978H2KBQX2I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W978H6KBQX2E

W978H6KBQX2E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W978H2KBQX2E

W978H2KBQX2E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W978H2KBVX2I

W978H2KBVX2I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W97AH2KBQX2E

W97AH2KBQX2E

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9751G8KB25I TR

W9751G8KB25I TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.