Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > W971GG8KB-25
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6325390Obraz W971GG8KB-25.Winbond Electronics Corporation

W971GG8KB-25

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    W971GG8KB-25
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    60-WBGA (8x12.5)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    60-TFBGA
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (128M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
  • Częstotliwość zegara
    200MHz
  • Czas dostępu
    400ps
W971GG8KB-25 TR

W971GG8KB-25 TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6SB-25 TR

W971GG6SB-25 TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W9725G6KB-18

W9725G6KB-18

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8SB25I

W971GG8SB25I

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8SB25I TR

W971GG8SB25I TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6SB25I

W971GG6SB25I

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8SB-25 TR

W971GG8SB-25 TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8KB25I TR

W971GG8KB25I TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W9725G6IB-25

W9725G6IB-25

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6SB-18 TR

W971GG6SB-18 TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8SB-25

W971GG8SB-25

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG6KB25I

W971GG6KB25I

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W9725G6JB25I

W9725G6JB25I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść