Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > W9412G6JH-5I
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4615508Obraz W9412G6JH-5I.Winbond Electronics Corporation

W9412G6JH-5I

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    W9412G6JH-5I
  • Producent / marka
    Winbond Electronics Corporation
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    W9412G6JH-5I.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    66-TSOP II
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Inne nazwy
    W9412G6JH5I
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    128Mb (8M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II
  • Częstotliwość zegara
    200MHz
  • Czas dostępu
    50ns

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „W9412G6JH-5I”.
W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W94-X112-20

W94-X112-20

Opis: CIR BRKR

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W94-X113-30

W94-X113-30

Opis: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W94-X112-30V

W94-X112-30V

Opis: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 415VAC

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9412G6KH-5I TR

W9412G6KH-5I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9412G6IH-5

W9412G6IH-5

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.