Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > W632GG8MB15I
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1911395Obraz W632GG8MB15I.Winbond Electronics Corporation

W632GG8MB15I

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
242+
$7.098
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    W632GG8MB15I
  • Producent / marka
    Winbond Electronics Corporation
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.W632GG8MB15I.pdf
    2.W632GG8MB15I.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    78-VFBGA (10.5x8)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    78-VFBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    2Gb (128M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 667MHz 20ns 78-VFBGA (10.5x8)
  • Częstotliwość zegara
    667MHz
  • Czas dostępu
    20ns

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „W632GG8MB15I”.
W632GG8MB-11

W632GG8MB-11

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6KB-11

W632GU6KB-11

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6KB-15

W632GU6KB-15

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8KB15I TR

W632GG8KB15I TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6KB-12 TR

W632GU6KB-12 TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6KB-12

W632GU6KB-12

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6AB-12

W632GU6AB-12

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6AB-15

W632GU6AB-15

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB12I TR

W632GG8MB12I TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB15I TR

W632GG8MB15I TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6KB11I

W632GU6KB11I

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB-12 TR

W632GG8MB-12 TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB-12

W632GG8MB-12

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB-15

W632GG8MB-15

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6KB-15 TR

W632GU6KB-15 TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GU6AB-11

W632GU6AB-11

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB-15 TR

W632GG8MB-15 TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB12I

W632GG8MB12I

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB-09

W632GG8MB-09

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W632GG8MB-11 TR

W632GG8MB-11 TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.