Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHP30N60E-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6110006Obraz SIHP30N60E-GE3.Vishay Siliconix

SIHP30N60E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.16
10+
$5.534
25+
$5.232
100+
$4.534
250+
$4.302
500+
$3.86
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHP30N60E-GE3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHP30N60E-GE3.pdf
  • Napięcie - Test
    2600pF @ 100V
  • VGS (th) (Max) @ Id
    125 mOhm @ 15A, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    E
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    29A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    SIHP30N60E-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Numer części producenta
    SIHP30N60E-GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    130nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Stosunek pojemności
    250W (Tc)

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHP30N60E-GE3”.
SIHP24N65EF-GE3

SIHP24N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP28N60EF-GE3

SIHP28N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N40D-GE3

SIHP25N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP28N65E-GE3

SIHP28N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP25N40D-E3

SIHP25N40D-E3

Opis: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP5N50D-E3

SIHP5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP38N60E-GE3

SIHP38N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP4N80E-GE3

SIHP4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3

Opis: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.