Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHB22N65E-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4693659Obraz SIHB22N65E-GE3.Vishay Siliconix

SIHB22N65E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$4.81
10+
$4.323
25+
$4.087
100+
$3.542
250+
$3.361
500+
$3.015
1000+
$2.543
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHB22N65E-GE3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHB22N65E-GE3.pdf
  • Napięcie - Test
    2415pF @ 100V
  • Napięcie - Podział
    D2PAK
  • VGS (th) (Max) @ Id
    180 mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (maks.)
    10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    22A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    SIHB22N65E-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    19 Weeks
  • Numer części producenta
    SIHB22N65E-GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    110nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    650V
  • Stosunek pojemności
    227W (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHB22N65E-GE3”.
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.