Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI3900DV-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4047768Obraz SI3900DV-T1-E3.Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.68
10+
$0.584
25+
$0.545
100+
$0.436
250+
$0.405
500+
$0.343
1000+
$0.265
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI3900DV-T1-E3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI3900DV-T1-E3.pdf
  • Napięcie - Test
    -
  • Napięcie - Podział
    6-TSOP
  • VGS (th) (Max) @ Id
    125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Seria
    TrenchFET®
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2A
  • Moc - Max
    830mW
  • Polaryzacja
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    SI3900DV-T1-E3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Numer części producenta
    SI3900DV-T1-E3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4nC @ 4.5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.5V @ 250µA
  • Cecha FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Rozszerzony opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    Logic Level Gate
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    20V

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI3900DV-T1-E3”.
SI3909DV-T1-GE3

SI3909DV-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3865BDV-T1-GE3

SI3865BDV-T1-GE3

Opis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3905DV-T1-E3

SI3905DV-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3865CDV-T1-E3

SI3865CDV-T1-E3

Opis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3879DV-T1-E3

SI3879DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3951DV-T1-E3

SI3951DV-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3932DV-T1-GE3

SI3932DV-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3948DV-T1-GE3

SI3948DV-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3867DV-T1-E3

SI3867DV-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3861BDV-T1-GE3

SI3861BDV-T1-GE3

Opis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3865DDV-T1-GE3

SI3865DDV-T1-GE3

Opis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3909DV-T1-E3

SI3909DV-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3905DV-T1-GE3

SI3905DV-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3865BDV-T1-E3

SI3865BDV-T1-E3

Opis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3879DV-T1-GE3

SI3879DV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3867DV-T1-GE3

SI3867DV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3948DV-T1-E3

SI3948DV-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI3865CDV-T1-GE3

SI3865CDV-T1-GE3

Opis: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.