Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > VS-1N3890
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
735691Obraz VS-1N3890.Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3890

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$3.677
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    VS-1N3890
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    VS-1N3890.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    12A
  • Napięcie - Podział
    DO-203AA
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    *1N3890
    1N3890
    1N3890-ND
  • Temperatura pracy - złącze
    300ns
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Numer części producenta
    VS-1N3890
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA
  • Diode Configuration
    25µA @ 100V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.4V @ 12A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    100V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „VS-1N3890”.
VS-1N3892

VS-1N3892

Opis: DIODE GEN PURP 300V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3881

VS-1N3881

Opis: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N5817TR

VS-1N5817TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3893

VS-1N3893

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3880R

VS-1N3880R

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3883

VS-1N3883

Opis: DIODE GEN PURP 400V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3882

VS-1N3882

Opis: DIODE GEN PURP 300V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3879

VS-1N3879

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3893R

VS-1N3893R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3881R

VS-1N3881R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3889

VS-1N3889

Opis: DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N5818

VS-1N5818

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N5817

VS-1N5817

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3891R

VS-1N3891R

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3882R

VS-1N3882R

Opis: DIODE GEN PURP 300V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3891

VS-1N3891

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3892R

VS-1N3892R

Opis: DIODE GEN PURP 300V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3880

VS-1N3880

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3879R

VS-1N3879R

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3890R

VS-1N3890R

Opis: DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.