Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > BYG10MHE3/TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5326046Obraz BYG10MHE3/TR.Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3/TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
7200+
$0.132
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BYG10MHE3/TR
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.BYG10MHE3/TR.pdf
    2.BYG10MHE3/TR.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Avalanche
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5A
  • Napięcie - Podział
    DO-214AC (SMA)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-214AC, SMA
  • Temperatura pracy - złącze
    4µs
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Numer części producenta
    BYG10MHE3/TR
  • Rozszerzony opis
    Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Diode Configuration
    1µA @ 1000V
  • Opis
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    1000V (1kV)
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 150°C

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BYG10MHE3/TR”.
BYG10MHE3_A/I

BYG10MHE3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10MHE3/TR3

BYG10MHE3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10M-M3/TR

BYG10M-M3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10KHM3/TR

BYG10KHM3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10MHM3/TR

BYG10MHM3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10MHM3_A/H

BYG10MHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10KHM3/TR3

BYG10KHM3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG10MHM3/TR3

BYG10MHM3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG10Y-M3/TR

BYG10Y-M3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10MHM3_A/I

BYG10MHM3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10M-M3/TR3

BYG10M-M3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10Y-E3/TR3

BYG10Y-E3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10Y-E3/TR

BYG10Y-E3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.