Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPCF8B01(TE85L,F,M
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2802828Obraz TPCF8B01(TE85L,F,M.Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8B01(TE85L,F,M

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPCF8B01(TE85L,F,M
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
    2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 200µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    VS-8 (2.9x1.5)
  • Seria
    U-MOSIII
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    330mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SMD, Flat Lead
  • Inne nazwy
    TPCF8B01(TE85L,F)
    TPCF8B01(TE85L,F)-ND
    TPCF8B01(TE85L,F,M-ND
    TPCF8B01(TE85LFMTR
    TPCF8B01FTR
    TPCF8B01FTR-ND
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    470pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPCF8B01(TE85L,F,M”.
TPCH106K010R2500

TPCH106K010R2500

Opis: CAP TANT 10UF 10V 10% 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCH106M010R2500

TPCH106M010R2500

Opis: CAP TANT 10UF 10V 20% 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCF13F0

TPCF13F0

Opis: SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
TPCF8304(TE85L,F,M

TPCF8304(TE85L,F,M

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCF13C0

TPCF13C0

Opis: SWITCH PUSH SPST-NO 1A 125V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
TPCK225M006Q8000

TPCK225M006Q8000

Opis: CAP TANT 2.2UF 6.3V 20% 0402

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCF8A01(TE85L)

TPCF8A01(TE85L)

Opis: MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCH336M004R1500

TPCH336M004R1500

Opis: CAP TANT 33UF 4V 20% 0805

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCF8201(TE85L,F,M

TPCF8201(TE85L,F,M

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCL105M010R5000

TPCL105M010R5000

Opis: CAP TANT 1UF 10V 20% 0603

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCK475M003Q8000

TPCK475M003Q8000

Opis: CAP TANT 4.7UF 3V 20% 0402

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCF8104(TE85L,F,M

TPCF8104(TE85L,F,M

Opis: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCF8101(TE85L,F,M

TPCF8101(TE85L,F,M

Opis: MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCK225M006P8000

TPCK225M006P8000

Opis: CAP TANT 2.2UF 6.3V 20% 0402

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCF8402(TE85L,F,M

TPCF8402(TE85L,F,M

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCF8107,LF

TPCF8107,LF

Opis: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCL106K006R4000

TPCL106K006R4000

Opis: CAP TANT 10UF 6.3V 10% 0603

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCK475M003P8000

TPCK475M003P8000

Opis: CAP TANT 4.7UF 3V 20% 0402

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
TPCL106M006R4000

TPCL106M006R4000

Opis: CAP TANT 10UF 6.3V 20% 0603

Producenci: AVX Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.