Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPC8408,LQ(S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4056214Obraz TPC8408,LQ(S.Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8408,LQ(S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.655
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPC8408,LQ(S
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.TPC8408,LQ(S.pdf
    2.TPC8408,LQ(S.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 100µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    32 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Moc - Max
    450mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Inne nazwy
    TPC8408LQ(S
    TPC8408LQS
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    850pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N and P-Channel
  • Cecha FET
    Logic Level Gate
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.1A, 5.3A 450mW Surface Mount 8-SOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.1A, 5.3A

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPC8408,LQ(S”.
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPCA8003-H(TE12LQM

TPCA8003-H(TE12LQM

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8407,LQ(S

TPC8407,LQ(S

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC9.1HM3/86A

TPC9.1HM3/86A

Opis: TVS DIODE 7.37VWM 13.8VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC9.1AHM3_A/I

TPC9.1AHM3_A/I

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8207(TE12L,Q)

TPC8207(TE12L,Q)

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC9.1AHM3/86A

TPC9.1AHM3/86A

Opis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC9.1AHM3/87A

TPC9.1AHM3/87A

Opis: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8208(TE12L,Q)

TPC8208(TE12L,Q)

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC9.1HM3/87A

TPC9.1HM3/87A

Opis: TVS DIODE 7.37V 13.8V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC9.1AHM3_A/H

TPC9.1AHM3_A/H

Opis: TVS DIODE SMPC TO-277A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.