Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPC8033-H(TE12LQM)

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2138641

TPC8033-H(TE12LQM)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

TPC8033-H(TE12LQM)
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

TPC8033-H(TE12LQM).pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

8-SOP (5.5x6.0)
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

5.3 mOhm @ 8.5A, 10V
Strata mocy (max)

-
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
temperatura robocza

150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

3713pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

42nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 17A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „TPC8033-H(TE12LQM)”.

TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8067-H,LQ(S

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8.2HM3/87A

Opis: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8065-H,LQ(S

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8066-H,LQ(S

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPC8.2HM3/86A

Opis: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na stanie

TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.