Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPC6010-H(TE85L,FM
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6337782

TPC6010-H(TE85L,FM

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPC6010-H(TE85L,FM
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.TPC6010-H(TE85L,FM.pdf
    2.TPC6010-H(TE85L,FM.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 100µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    VS-6 (2.9x2.8)
  • Seria
    U-MOSVI-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    59 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    700mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    TPC6010-H(TE85LFM
    TPC6010HTE85LFM
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    830pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.1A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPC6010-H(TE85L,FM”.
TPC6.8AHM3_A/H

TPC6.8AHM3_A/H

Opis: TVS DIODE SMPC TO-277A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC6.8HM3/87A

TPC6.8HM3/87A

Opis: TVS DIODE 5.5V 10.8V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC6.8HM3/86A

TPC6.8HM3/86A

Opis: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC6009-H(TE85L,FM

TPC6009-H(TE85L,FM

Opis: MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6104(TE85L,F,M)

TPC6104(TE85L,F,M)

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6107(TE85L,F,M)

TPC6107(TE85L,F,M)

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6011(TE85L,F,M)

TPC6011(TE85L,F,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A VS6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6111(TE85L,F,M)

TPC6111(TE85L,F,M)

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6.8AHM3_A/I

TPC6.8AHM3_A/I

Opis: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC6006-H(TE85L,F)

TPC6006-H(TE85L,F)

Opis: MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6.8AHM3/87A

TPC6.8AHM3/87A

Opis: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC6012(TE85L,F,M)

TPC6012(TE85L,F,M)

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M)

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6110(TE85L,F,M)

TPC6110(TE85L,F,M)

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC51AHM3_A/I

TPC51AHM3_A/I

Opis: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC6109-H(TE85L,FM

TPC6109-H(TE85L,FM

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6901(TE85L,F,M)

TPC6901(TE85L,F,M)

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 6VS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6113(TE85L,F,M)

TPC6113(TE85L,F,M)

Opis: MOSFET P-CH 20V 5A VS6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6008-H(TE85L,FM

TPC6008-H(TE85L,FM

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC6.8AHM3/86A

TPC6.8AHM3/86A

Opis: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.