Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK4R3A06PL,S4X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
506769Obraz TK4R3A06PL,S4X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK4R3A06PL,S4X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.28
50+
$1.837
100+
$1.653
500+
$1.286
1000+
$1.066
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK4R3A06PL,S4X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK4R3A06PL,S4X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SIS
  • Seria
    U-MOSIX-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    36W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    TK4R3A06PL,S4X(S
    TK4R3A06PLS4X
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3280pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    48.2nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 68A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    68A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK4R3A06PL,S4X”.
TK4P55D(T6RSS-Q)

TK4P55D(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A53D(STA4,Q,M)

TK4A53D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4P60DA(T6RSS-Q)

TK4P60DA(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4R3E06PL,S1X

TK4R3E06PL,S1X

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A55D(STA4,Q,M)

TK4A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A60DB(STA4,Q,M)

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A60D(STA4,Q,M)

TK4A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A65DA(STA4,Q,M)

TK4A65DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A50D(STA4,Q,M)

TK4A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4P50D(T6RSS-Q)

TK4P50D(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A55DA(STA4,Q,M)

TK4A55DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4P60DB(T6RSS-Q)

TK4P60DB(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK430-IR

TK430-IR

Opis: ELECTRICAL TEST KIT WITH IR THER

Producenci: FLIR
Na stanie
RFQ
TK46A08N1,S4X

TK46A08N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 80V 46A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK45P03M1,RQ(S

TK45P03M1,RQ(S

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4R4P06PL,RQ

TK4R4P06PL,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK430

TK430

Opis: ELECTRICAL TEST KIT

Producenci: FLIR
Na stanie
RFQ
TK4P55DA(T6RSS-Q)

TK4P55DA(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A60DA(STA4,Q,M)

TK4A60DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK46E08N1,S1X

TK46E08N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 80V 80A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.