Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK40E06N1,S1X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
803546Obraz TK40E06N1,S1X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK40E06N1,S1X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.10
50+
$0.879
100+
$0.769
500+
$0.597
1000+
$0.471
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK40E06N1,S1X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N CH 60V 40A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK40E06N1,S1X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 300µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220
  • Seria
    U-MOSVIII-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10.4 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    67W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    TK40E06N1,S1X(S
    TK40E06N1S1X
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1700pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 40A (Ta) 67W (Tc) Through Hole TO-220
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    40A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK40E06N1,S1X”.
TK4A60D(STA4,Q,M)

TK4A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK42E12N1,S1X

TK42E12N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 120V 88A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK430-IR

TK430-IR

Opis: ELECTRICAL TEST KIT WITH IR THER

Producenci: FLIR
Na stanie
RFQ
TK4A50D(STA4,Q,M)

TK4A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK46A08N1,S4X

TK46A08N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 80V 46A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK40S10K3Z(T6L1,NQ

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A55DA(STA4,Q,M)

TK4A55DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK45P03M1,RQ(S

TK45P03M1,RQ(S

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK40P03M1(T6RDS-Q)

TK40P03M1(T6RDS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK46E08N1,S1X

TK46E08N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 80V 80A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A55D(STA4,Q,M)

TK4A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK40E10K3,S1X(S

TK40E10K3,S1X(S

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK40E10N1,S1X

TK40E10N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 100V 90A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK42A12N1,S4X

TK42A12N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 120V 42A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK40A06N1,S4X

TK40A06N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK430

TK430

Opis: ELECTRICAL TEST KIT

Producenci: FLIR
Na stanie
RFQ
TK40A10N1,S4X

TK40A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK4A53D(STA4,Q,M)

TK4A53D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK40P04M1(T6RSS-Q)

TK40P04M1(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK40P03M1(T6RSS-Q)

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.