Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6201886

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.531
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf
    2.TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    +10V, -20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK+
  • Seria
    U-MOSVI
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    104 mOhm @ 4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    27W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    TJ8S06M3L(T6L1NQ)
    TJ8S06M3LT6L1NQ
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    890pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 8A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TJ8S06M3L(T6L1,NQ)”.
AO5401EL

AO5401EL

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
TJ80S04M3L(T6L1,NQ

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Opis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN2056U-7

DMN2056U-7

Opis: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
NP20P06SLG-E1-AY

NP20P06SLG-E1-AY

Opis: MOSFET P-CH 60V 20A TO-252

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
FQPF18N20V2

FQPF18N20V2

Opis: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDW6923

FDW6923

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-TSSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDA70N20

FDA70N20

Opis: MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF6722STRPBF

IRF6722STRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PSMN2R5-60PLQ

PSMN2R5-60PLQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SUP65P04-15-E3

SUP65P04-15-E3

Opis: MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TK14N65W5,S1F

TK14N65W5,S1F

Opis: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTP45N06G

NTP45N06G

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
JANTXV2N6790

JANTXV2N6790

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
HUFA75309P3

HUFA75309P3

Opis: MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N7002-G

2N7002-G

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
SUD50P04-13L-GE3

SUD50P04-13L-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.