Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SSM6J512NU,LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7032476Obraz SSM6J512NU,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU,LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.61
10+
$0.477
100+
$0.328
500+
$0.225
1000+
$0.168
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SSM6J512NU,LF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SSM6J512NU,LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-UDFNB (2x2)
  • Seria
    U-MOSVII
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    16.2 mOhm @ 4A, 8V
  • Strata mocy (max)
    1.25W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-WDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    SSM6J512NULFCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1400pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    19.5nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 8V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SSM6J512NU,LF”.
SSM6K217FE,LF

SSM6K217FE,LF

Opis: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6K202FE,LF

SSM6K202FE,LF

Opis: MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J414TU,LF

SSM6J414TU,LF

Opis: MOSFET P CH 20V 6A UF6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J51TUTE85LF

SSM6J51TUTE85LF

Opis: MOSFET P-CH 12V 4A UF6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J50TU,LF

SSM6J50TU,LF

Opis: X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6K341NU,LF

SSM6K341NU,LF

Opis: MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6K211FE,LF

SSM6K211FE,LF

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J502NU,LF(T

SSM6J502NU,LF(T

Opis: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6K361NU,LF

SSM6K361NU,LF

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J507NU,LF

SSM6J507NU,LF

Opis: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J503NU,LF(T

SSM6J503NU,LF(T

Opis: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J505NU,LF

SSM6J505NU,LF

Opis: MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J409TU(TE85L,F

SSM6J409TU(TE85L,F

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J771G,LF

SSM6J771G,LF

Opis: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J511NU,LF

SSM6J511NU,LF

Opis: MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J216FE,LF

SSM6J216FE,LF

Opis: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J801R,LF

SSM6J801R,LF

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6K403TU,LF

SSM6K403TU,LF

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSM6J53FE(TE85L,F)

SSM6J53FE(TE85L,F)

Opis: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.