Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN4983FE,LF(CB

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4671812

Obraz RN4983FE,LF(CB.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4983FE,LF(CB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

4000+

$0.048

8000+

$0.042

12000+

$0.036

28000+

$0.034

100000+

$0.028

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN4983FE,LF(CB
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN4983FE,LF(CB.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet

ES6
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

22 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

22 kOhms
Moc - Max

100mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-563, SOT-666
Inne nazwy

RN4983FE(T5L,F,T)
RN4983FE(T5LFT)TR
RN4983FE(T5LFT)TR-ND
RN4983FE,LF(CT
RN4983FELF(CBTR
RN4983FELF(CTTR
RN4983FELF(CTTR-ND
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

16 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

250MHz
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN4983FE,LF(CB”.

RN4984(T5L,F,T)

RN4984(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4986(T5L,F,T)

RN4986(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4988(T5L,F,T)

RN4988(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4989(T5L,F,T)

RN4989(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4987FE,LF(CB

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4984,LF(CT

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4985,LF(CT

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4910,LF

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4984FE,LF(CB

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4982,LF(CT

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4986FE,LF(CB

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4983,LF(CT

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4910(T5L,F,T)

RN4910(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4987,LF(CT

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4909(T5L,F,T)

RN4909(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4908(T5L,F,T)

RN4908(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4982FE,LF(CB

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4911(T5L,F,T)

RN4911(T5L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4981,LF(CT

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN4981FE,LF(CB

Opis: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.