Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN2306,LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6172547Obraz RN2306,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN2306,LF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN2306,LF.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    PNP - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    USM
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    47 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    4.7 kOhms
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RN2306LFDKR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    200MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2306,LF”.
RN222-2.5-02-5M6

RN222-2.5-02-5M6

Opis: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2302,LF

RN2302,LF

Opis: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN222-3-02

RN222-3-02

Opis: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2301,LF

RN2301,LF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2304(TE85L,F)

RN2304(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2315TE85LF

RN2315TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2305(TE85L,F)

RN2305(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2310,LF

RN2310,LF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN222-4-02

RN222-4-02

Opis: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN222-3-02-4M5

RN222-3-02-4M5

Opis: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN222-4-02-3M3

RN222-4-02-3M3

Opis: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.