Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1423TE85LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1798101

RN1423TE85LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.095
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1423TE85LF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN1423TE85LF.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    250mV @ 1mA, 50mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    S-Mini
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    4.7 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    4.7 kOhms
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    RN1423(TE85L,F)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    11 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    300MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 100mA, 1V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    800mA
  • Podstawowy numer części
    RN142*

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1423TE85LF”.
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

Opis: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN1426TE85LF

RN1426TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142GT2R

RN142GT2R

Opis: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

Opis: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

Opis: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN142STE61

RN142STE61

Opis: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

Opis: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

Opis: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN142-4-02

RN142-4-02

Opis: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN142VTE-17

RN142VTE-17

Opis: DIODE PIN 60V UMD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

Opis: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN142ZST2R

RN142ZST2R

Opis: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN142-6-02

RN142-6-02

Opis: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Opis: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN142-2-02

RN142-2-02

Opis: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.