Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > BAS316,H3F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6069289

BAS316,H3F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.032
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BAS316,H3F
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BAS316,H3F.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.25V @ 150mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    USC
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    3ns
  • Package / Case
    SC-76, SOD-323
  • Inne nazwy
    BAS316H3F
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 250mA Surface Mount USC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    200nA @ 80V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    250mA
  • Pojemność @ VR F
    0.35pF @ 0V, 1MHz

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BAS316,H3F”.
BAS31,215

BAS31,215

Opis: DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS316,135

BAS316,135

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS31

BAS31

Opis: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS316WS RRG

BAS316WS RRG

Opis: DIODE GEN PURP 250MA SOD323F

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
BAS316-TP

BAS316-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
BAS316Z

BAS316Z

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS321/8X

BAS321/8X

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS31,235

BAS31,235

Opis: DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS3010A03WE6327HTSA1

BAS3010A03WE6327HTSA1

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BAS3010B03WE6327HTSA1

BAS3010B03WE6327HTSA1

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Producenci: Infineon Technologies
Na stanie
RFQ
BAS316/ZLF

BAS316/ZLF

Opis: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
BAS316 RRG

BAS316 RRG

Opis: DIODE GEN PURP 250MA SOD323

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
BAS3020BH6327XTSA1

BAS3020BH6327XTSA1

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BAS321/ZLF

BAS321/ZLF

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
BAS316,115

BAS316,115

Opis: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS321,135

BAS321,135

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS321,115

BAS321,115

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS321/8F

BAS321/8F

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
BAS31-D87Z

BAS31-D87Z

Opis: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BAS316/ZLX

BAS316/ZLX

Opis: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.