Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UG06BHA1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5497925

UG06BHA1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
12000+
$0.114
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UG06BHA1G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    UG06BHA1G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 600mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TS-1
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    15ns
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 600mA Through Hole TS-1
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    600mA
  • Pojemność @ VR F
    9pF @ 4V, 1MHz

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UG06BHA1G”.
S2JHR5G

S2JHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06B-E3/54

UG06B-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 100V 600MA MPG06

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UG06CHR0G

UG06CHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
STTH30R04D

STTH30R04D

Opis: DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
UG06CHA1G

UG06CHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06AHA1G

UG06AHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06DHA0G

UG06DHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06AHR0G

UG06AHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06DHA1G

UG06DHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06AHA0G

UG06AHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UF4001 R0G

UF4001 R0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06CHA0G

UG06CHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06DHR0G

UG06DHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06BHR0G

UG06BHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
STPS5H100H

STPS5H100H

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 5A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
UG06D-E3/54

UG06D-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UG06BHA0G

UG06BHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG06D/54

UG06D/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
UG06A-E3/54

UG06A-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 50V 600MA MPG06

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UG06C-E3/54

UG06C-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 150V 600MA MPG06

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.