Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S1KL MQG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3099321Obraz S1KL MQG.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1KL MQG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
20000+
$0.038
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S1KL MQG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.8µs
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    S1KL MQG-ND
    S1KLMQG
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    9pF @ 4V, 1MHz
S1KHE3/5AT

S1KHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1KHE3_A/I

S1KHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1KL MTG

S1KL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KL RTG

S1KL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KL RHG

S1KL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KFSHMXG

S1KFSHMXG

Opis: DIODE, 1A, 800V, AEC-Q101, SOD-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KL RVG

S1KL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KHR3G

S1KHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KFSHMWG

S1KFSHMWG

Opis: DIODE, 1A, 800V, AEC-Q101, SOD-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KHE3/61T

S1KHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1KL MHG

S1KL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KL R3G

S1KL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KLHMHG

S1KLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KHM2G

S1KHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KL RQG

S1KL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KHE3_A/H

S1KHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1KL M2G

S1KL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KLHM2G

S1KLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KL RFG

S1KL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1KL RUG

S1KL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść