Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS3KHR7G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6313814Obraz RS3KHR7G.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS3KHR7G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3400+
$0.136
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS3KHR7G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    500ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    40 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    -
RS3K-M3/9AT

RS3K-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3MHR7G

RS3MHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3MHM6G

RS3MHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3KHE3_A/I

RS3KHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3KHM6G

RS3KHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3M M6G

RS3M M6G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3KHE3/57T

RS3KHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3KHE3/9AT

RS3KHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3KB-13-F

RS3KB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3KHE3_A/H

RS3KHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3K-E3/9AT

RS3K-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3K-M3/57T

RS3K-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS3MB-13

RS3MB-13

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3M R7G

RS3M R7G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3M V6G

RS3M V6G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3M V7G

RS3M V7G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS3KB-13

RS3KB-13

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3MB-13-F

RS3MB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3M-13

RS3M-13

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS3M-13-F

RS3M-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść