Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki mostkowe > KBP105G C2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
763526

KBP105G C2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    KBP105G C2
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    600V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 1A
  • Technologia
    Standard
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    KBP
  • Seria
    -
  • Package / Case
    4-SIP, KBP
  • Inne nazwy
    KBP105G C2-ND
    KBP105GC2
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Single Phase
  • szczegółowy opis
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBP
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
KBP102G C2G

KBP102G C2G

Opis: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP104G C2G

KBP104G C2G

Opis: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP106G C2G

KBP106G C2G

Opis: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP102G C2

KBP102G C2

Opis: BRIDGE DIODE 1A 100V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP10M-E4/45

KBP10M-E4/45

Opis: DIODE 1.5A 1000V KBPM

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
KBP103G C2G

KBP103G C2G

Opis: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP105G C2G

KBP105G C2G

Opis: BRIDGE DIODE 1A 600V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP10G

KBP10G

Opis: RECT BRIDGE GPP 1000V 1.5A KBP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
KBP106G C2

KBP106G C2

Opis: BRIDGE DIODE 1A 800V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP10M-BP

KBP10M-BP

Opis: DIODE BRIDGE 2A 1000V KBPR

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
KBP101G C2

KBP101G C2

Opis: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP10M-E4/51

KBP10M-E4/51

Opis: DIODE 1.5A 1000V KBPM

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
KBP10M

KBP10M

Opis: IC BRIDGE RECT 1.5A 1000V KBPM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
KBP101G C2G

KBP101G C2G

Opis: BRIDGE DIODE 1A 50V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP08M-M4/51

KBP08M-M4/51

Opis: RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
KBP107G C2G

KBP107G C2G

Opis: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP104G C2

KBP104G C2

Opis: BRIDGE DIODE 1A 400V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP08ML-6747E4/51

KBP08ML-6747E4/51

Opis: BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
KBP103G C2

KBP103G C2

Opis: BRIDGE DIODE 1A 200V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
KBP107G C2

KBP107G C2

Opis: BRIDGE DIODE 1A 1000V GPP KBP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść