Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > HS3MB M4G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4266128Obraz HS3MB M4G.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS3MB M4G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.123
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HS3MB M4G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 3A DO214AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 3A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AA (SMB)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    75ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AA, SMB
  • Inne nazwy
    HS3MB M4G-ND
    HS3MBM4G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    50pF @ 4V, 1MHz
HS3M V7G

HS3M V7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3K M6G

HS3K M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3KB M4G

HS3KB M4G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3X3LG6NM

HS3X3LG6NM

Opis: WIRE DUCT SOLID BASE GRAY 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
HS3K V6G

HS3K V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3X4LG6NM

HS3X4LG6NM

Opis: WIRE DUCT SOLID BASE GRAY 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
HS3MB R5G

HS3MB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3K R7G

HS3K R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3J V6G

HS3J V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3X3WH6NM

HS3X3WH6NM

Opis: WIRE DUCT SOLID BASE WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
HS3JB R5G

HS3JB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3M V6G

HS3M V6G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3J V7G

HS3J V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3X4BL6NM

HS3X4BL6NM

Opis: WIRE DUCT SOLID BASE BLACK 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
HS3M M6G

HS3M M6G

Opis: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3M R7G

HS3M R7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3K V7G

HS3K V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3X3BL6NM

HS3X3BL6NM

Opis: WIRE DUCT SOLID BASE BLACK 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
HS3KB R5G

HS3KB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS3X4WH6NM

HS3X4WH6NM

Opis: WIRE DUCT SOLID BASE WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść