Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > HS1JL MQG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3196187Obraz HS1JL MQG.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS1JL MQG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
20000+
$0.059
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HS1JL MQG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    75ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    HS1JL MQG-ND
    HS1JLMQG
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    15pF @ 4V, 1MHz
HS1J M2G

HS1J M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL R3G

HS1JL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1GL RQG

HS1GL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1GL RUG

HS1GL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL RHG

HS1JL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL RQG

HS1JL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL RTG

HS1JL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1K M2G

HS1K M2G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1GL RTG

HS1GL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1GLW RVG

HS1GLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL M2G

HS1JL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL RUG

HS1JL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1GL RVG

HS1GL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1GL RHG

HS1GL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1J R3G

HS1J R3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL RFG

HS1JL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL RVG

HS1JL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL MHG

HS1JL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JL MTG

HS1JL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HS1JLW RVG

HS1JLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść