Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > HER306G B0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1876050Obraz HER306G B0G.TSC (Taiwan Semiconductor)

HER306G B0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
4000+
$0.147
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HER306G B0G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-201AD
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    75ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-201AD, Axial
  • Inne nazwy
    HER306G B0G-ND
    HER306GB0G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    35pF @ 4V, 1MHz
HER307G R0G

HER307G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER306-TP

HER306-TP

Opis: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
HER306G A0G

HER306G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER306G R0G

HER306G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER305G A0G

HER305G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER306-AP

HER306-AP

Opis: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
HER305GT-G

HER305GT-G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
HER305G R0G

HER305G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER306GA-G

HER306GA-G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
HER306GT-G

HER306GT-G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
HER307GT-G

HER307GT-G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
HER307G B0G

HER307G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER305G B0G

HER305G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER305-T

HER305-T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
HER307G A0G

HER307G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
HER307GA-G

HER307GA-G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
HER305-TP

HER305-TP

Opis: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
HER305GA-G

HER305GA-G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AA

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
HER307-TP

HER307-TP

Opis: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
HER307-AP

HER307-AP

Opis: DIODE GPP HE 3A DO-201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść