Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > F1T6G A1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2510400

F1T6G A1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
12000+
$0.057
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    F1T6G A1G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TS-1
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    500ns
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    F1T6G A1G-ND
    F1T6GA1G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 1A Through Hole TS-1
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    15pF @ 4V, 1MHz
F1T5G A0G

F1T5G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T4GHA0G

F1T4GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T7GHA1G

F1T7GHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T7GHR0G

F1T7GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T5GHA1G

F1T5GHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T5GHR0G

F1T5GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T7G A1G

F1T7G A1G

Opis: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T6GHR0G

F1T6GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T6G A0G

F1T6G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T5G R0G

F1T5G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T7GHA0G

F1T7GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T4GHA1G

F1T4GHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T5G A1G

F1T5G A1G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T6GHA1G

F1T6GHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T7G R0G

F1T7G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T6G R0G

F1T6G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T4GHR0G

F1T4GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T5GHA0G

F1T5GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T6GHA0G

F1T6GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
F1T7G A0G

F1T7G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść