Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ESH3B V6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4165404Obraz ESH3B V6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3B V6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.117
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ESH3B V6G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    20ns
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    ESH3B V6G-ND
    ESH3BV6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    45pF @ 4V, 1MHz
ESH3B-E3/57T

ESH3B-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH3B M6G

ESH3B M6G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH336M050AE3AA

ESH336M050AE3AA

Opis: CAP ALUM 33UF 20% 50V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH3B V7G

ESH3B V7G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH336M063AG3AA

ESH336M063AG3AA

Opis: CAP ALUM 33UF 20% 63V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH336M050AC3AA

ESH336M050AC3AA

Opis: CAP ALUM 33UF 20% 50V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH3B R7G

ESH3B R7G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH3B-M3/57T

ESH3B-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH337M035AH1AA

ESH337M035AH1AA

Opis: CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH3C M6G

ESH3C M6G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ESH3BHE3_A/H

ESH3BHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH337M016AG3AA

ESH337M016AG3AA

Opis: CAP ALUM 330UF 20% 16V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH3BHE3/9AT

ESH3BHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH337M025AG3AA

ESH337M025AG3AA

Opis: CAP ALUM 330UF 20% 25V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH3B-E3/9AT

ESH3B-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH3B-M3/9AT

ESH3B-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH3BHE3/57T

ESH3BHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH3BHE3_A/I

ESH3BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ESH337M050AH4AA

ESH337M050AH4AA

Opis: CAP ALUM 330UF 20% 50V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie
ESH338M010AL3AA

ESH338M010AL3AA

Opis: CAP ALUM 3300UF 20% 10V RADIAL

Producenci: KEMET
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść