Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES3GHR7G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
141201Obraz ES3GHR7G.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3GHR7G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1700+
$0.187
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES3GHR7G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    28 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    30pF @ 4V, 1MHz
ES3GB M4G

ES3GB M4G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3J

ES3J

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES3HBHM4G

ES3HBHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3GBHM4G

ES3GBHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3HR7G

ES3HR7G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3HM6G

ES3HM6G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3J V6G

ES3J V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3HB M4G

ES3HB M4G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3GBHR5G

ES3GBHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3J R7G

ES3J R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3G-M3/9AT

ES3G-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3HB R5G

ES3HB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3GHM6G

ES3GHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3GHE3_A/I

ES3GHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES3J M6G

ES3J M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES3GB R5G

ES3GB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść