Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1FL RTG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4201602Obraz ES1FL RTG.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1FL RTG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
22500+
$0.071
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1FL RTG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    300V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    ES1FL RTG-ND
    ES1FLRTG
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 300V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 300V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    8pF @ 1V, 1MHz
ES1G R3G

ES1G R3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1G M2G

ES1G M2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1G

ES1G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES1FL RFG

ES1FL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FLHRHG

ES1FLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1F R3G

ES1F R3G

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL MQG

ES1FL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FHM2G

ES1FHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL M2G

ES1FL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL RVG

ES1FL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL MTG

ES1FL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL MHG

ES1FL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL RHG

ES1FL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL RQG

ES1FL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL RUG

ES1FL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FL R3G

ES1FL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FLHMTG

ES1FLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FLHRQG

ES1FLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FLHMQG

ES1FLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1FLHMHG

ES1FLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść