Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1DL RUG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2292312Obraz ES1DL RUG.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1DL RUG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
21600+
$0.071
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1DL RUG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    ES1DL RUG-ND
    ES1DLRUG
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 1V, 1MHz
ES1DL R3G

ES1DL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL MHG

ES1DL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHM2G

ES1DLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL MTG

ES1DL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHRHG

ES1DLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL RQG

ES1DL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL MQG

ES1DL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL RHG

ES1DL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHRUG

ES1DLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHRTG

ES1DLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL RVG

ES1DL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DHM2G

ES1DHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL RTG

ES1DL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHMTG

ES1DLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHMHG

ES1DLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHMQG

ES1DLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHRFG

ES1DLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DLHRQG

ES1DLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL M2G

ES1DL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1DL RFG

ES1DL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść