Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1BL MHG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5969582Obraz ES1BL MHG.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1BL MHG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
20000+
$0.071
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1BL MHG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    ES1BL MHG-ND
    ES1BLMHG
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 1V, 1MHz
ES1B/1

ES1B/1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1BL RFG

ES1BL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHM2G

ES1BHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BL RVG

ES1BL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BLHM2G

ES1BLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BL MQG

ES1BL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHE3/61T

ES1BHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1BL MTG

ES1BL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BL RUG

ES1BL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BL RTG

ES1BL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHE3_A/I

ES1BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1BL RHG

ES1BL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BEIGE

ES1BEIGE

Opis: TB DIN END BRACKET 100PC

Producenci: B+B SmartWorx, Inc.
Na stanie
ES1BL RQG

ES1BL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1B-TP

ES1B-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Co
Na stanie
ES1BL M2G

ES1BL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHE3_A/H

ES1BHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES1BE-TP

ES1BE-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES1BL R3G

ES1BL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1BHE3/5AT

ES1BHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść