Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > BYG21M R3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6060714Obraz BYG21M R3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

BYG21M R3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1800+
$0.095
3600+
$0.086
5400+
$0.081
12600+
$0.074
45000+
$0.069
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BYG21M R3G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    BYG21M R3G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 1.5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    120ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    BYG21M R3GTR
    BYG21M R3GTR-ND
    BYG21MR3GTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Avalanche
  • szczegółowy opis
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.5A
  • Pojemność @ VR F
    13pF @ 4V, 1MHz

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BYG21M R3G”.
BYG21M-E3/TR

BYG21M-E3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21M M2G

BYG21M M2G

Opis: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
BYG21K-M3/TR3

BYG21K-M3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21KHE3_A/I

BYG21KHE3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG21KHE3/TR3

BYG21KHE3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21M-E3/TR3

BYG21M-E3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21M-M3/TR3

BYG21M-M3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21KHM3/TR

BYG21KHM3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG21KHE3/TR

BYG21KHE3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
BYG21KHM3_A/I

BYG21KHM3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21KHM3_A/H

BYG21KHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21M-M3/TR

BYG21M-M3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21M/54

BYG21M/54

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Opis: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.