Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1T4G A1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2991418

1T4G A1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
21000+
$0.027
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1T4G A1G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TS-1
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Inne nazwy
    1T4G A1G-ND
    1T4GA1G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1A Through Hole TS-1
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz
VS-41HF20

VS-41HF20

Opis: DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RMPG06G-E3/73

RMPG06G-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
246NQ200-1

246NQ200-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V PRM1-1

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RB551V-30-HF

RB551V-30-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
1N4933GHR1G

1N4933GHR1G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
FS1J-LTP

FS1J-LTP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
STB15100TR

STB15100TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
ES2GA R3G

ES2GA R3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
SBL8L40-E3/45

SBL8L40-E3/45

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VSSA36S-M3/61T

VSSA36S-M3/61T

Opis: DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
VSKE250-12

VSKE250-12

Opis: DIODE GP 1.2KV 250A MAGNAPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1T4G R0G

1T4G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
AS1PB-M3/85A

AS1PB-M3/85A

Opis: DIODE AVALANCHE 100V 1.5A DO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1B-E3/51T

S1B-E3/51T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
CMR1U-01M BK

CMR1U-01M BK

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
1T4G A0G

1T4G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
STTH15S12D

STTH15S12D

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
VS-45LR10

VS-45LR10

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
HS1AL R3G

HS1AL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść