Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5407GHB0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4948232Obraz 1N5407GHB0G.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5407GHB0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.086
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5407GHB0G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N5407GHB0G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-201AD
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-201AD, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 4V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5407GHB0G”.
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5408-E3/51

1N5408-E3/51

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5407G

1N5407G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5408-B

1N5408-B

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N5407TA

1N5407TA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
1N5408

1N5408

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.