Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5402GHR0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3025842Obraz 1N5402GHR0G.TSC (Taiwan Semiconductor)

1N5402GHR0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.088
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5402GHR0G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-201AD
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-201AD, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 200V 3A Through Hole DO-201AD
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 4V, 1MHz
1N5402GHB0G

1N5402GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5402G-T

1N5402G-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
1N5402GHA0G

1N5402GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5402RL

1N5402RL

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N5402-TP

1N5402-TP

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
1N5402TA

1N5402TA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
1N5402GP-TP

1N5402GP-TP

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
1N5402-G

1N5402-G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
1N5402T-G

1N5402T-G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
1N5404-B

1N5404-B

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
1N5402RLG

1N5402RLG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N5404

1N5404

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
1N5403-E3/54

1N5403-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5402-E3/54

1N5402-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5402-T

1N5402-T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
1N5402/54

1N5402/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5403

1N5403

Opis: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N5402G

1N5402G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N5404

1N5404

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
1N5402-E3/73

1N5402-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść