Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Kryształy, oscylatory, rezonatory > Oscylatory > SIT8209AC-31-33E-148.500000T
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
498501

SIT8209AC-31-33E-148.500000T

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$2.831
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIT8209AC-31-33E-148.500000T
  • Producent / marka
    SiTime
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIT8209AC-31-33E-148.500000T.pdf
  • Napięcie - Dostawa
    3.3V
  • Rodzaj
    XO (Standard)
  • Rozmiar / Wymiar
    0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
  • Seria
    SiT8209
  • oceny
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    4-SMD, No Lead
  • Wydajność
    LVCMOS, LVTTL
  • temperatura robocza
    -20°C ~ 70°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    5 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Wysokość - Siedzą (Max)
    0.032" (0.80mm)
  • Funkcjonować
    Enable/Disable
  • Stabilność częstotliwości
    ±20ppm
  • Częstotliwość
    148.5MHz
  • szczegółowy opis
    148.5MHz XO (Standard) LVCMOS, LVTTL Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • Obecny - Dostawa (Max)
    36mA
  • Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks)
    31mA
  • Rezonator bazowy
    MEMS
  • Całkowity zasięg ciągnięcia (APR)
    -

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIT8209AC-31-33E-148.500000T”.
SIT8209AC-31-33E-133.333333X

SIT8209AC-31-33E-133.333333X

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-155.520000T

SIT8209AC-31-33E-155.520000T

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-148.351648T

SIT8209AC-31-33E-148.351648T

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-148.500000Y

SIT8209AC-31-33E-148.500000Y

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-155.520000Y

SIT8209AC-31-33E-155.520000Y

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-155.520000X

SIT8209AC-31-33E-155.520000X

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-133.333330X

SIT8209AC-31-33E-133.333330X

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-133.333330Y

SIT8209AC-31-33E-133.333330Y

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-133.333300Y

SIT8209AC-31-33E-133.333300Y

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-133.333333T

SIT8209AC-31-33E-133.333333T

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-148.351648Y

SIT8209AC-31-33E-148.351648Y

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-148.500000X

SIT8209AC-31-33E-148.500000X

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-133.333330T

SIT8209AC-31-33E-133.333330T

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-150.000000X

SIT8209AC-31-33E-150.000000X

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-156.250000T

SIT8209AC-31-33E-156.250000T

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-148.351648X

SIT8209AC-31-33E-148.351648X

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-150.000000T

SIT8209AC-31-33E-150.000000T

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-150.000000Y

SIT8209AC-31-33E-150.000000Y

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-156.250000X

SIT8209AC-31-33E-156.250000X

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8209AC-31-33E-133.333333Y

SIT8209AC-31-33E-133.333333Y

Opis: -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.