Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Kryształy, oscylatory, rezonatory > Oscylatory > SIT8008BI-12-18S-22.579200D
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4134380Obraz SIT8008BI-12-18S-22.579200D.SiTime

SIT8008BI-12-18S-22.579200D

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.697
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIT8008BI-12-18S-22.579200D
  • Producent / marka
    SiTime
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    OSC MEMS 22.5792MHZ LVCMOS SMD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.SIT8008BI-12-18S-22.579200D.pdf
    2.SIT8008BI-12-18S-22.579200D.pdf
  • Napięcie - Dostawa
    1.8V
  • Rodzaj
    XO (Standard)
  • Rozmiar / Wymiar
    0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
  • Seria
    SiT8008B
  • oceny
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    4-SMD, No Lead
  • Wydajność
    HCMOS, LVCMOS
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Wysokość - Siedzą (Max)
    0.032" (0.80mm)
  • Funkcjonować
    Standby (Power Down)
  • Stabilność częstotliwości
    ±25ppm
  • Częstotliwość
    22.5792MHz
  • szczegółowy opis
    22.5792MHz XO (Standard) HCMOS, LVCMOS Oscillator 1.8V Standby (Power Down) 4-SMD, No Lead
  • Obecny - Dostawa (Max)
    4.1mA
  • Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks)
    1.3µA
  • Rezonator bazowy
    MEMS

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIT8008BI-12-18S-22.579200D”.
SIT8008BI-12-18S-12.000000E

SIT8008BI-12-18S-12.000000E

Opis: OSC MEMS 12.0000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-38.400000E

SIT8008BI-12-18S-38.400000E

Opis: OSC MEMS 38.4000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-2.048000D

SIT8008BI-12-18S-2.048000D

Opis: OSC MEMS 2.0480MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18E-90.000000D

SIT8008BI-12-18E-90.000000D

Opis: OSC MEMS 90.0000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-45.158400D

SIT8008BI-12-18S-45.158400D

Opis: OSC MEMS 45.1584MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18E-90.000000G

SIT8008BI-12-18E-90.000000G

Opis: OSC MEMS 90.0000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-26.000000D

SIT8008BI-12-18S-26.000000D

Opis: OSC MEMS 26.0000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-12.000000D

SIT8008BI-12-18S-12.000000D

Opis: OSC MEMS 12.0000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-12.288000E

SIT8008BI-12-18S-12.288000E

Opis: OSC MEMS 12.2880MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-12.288000D

SIT8008BI-12-18S-12.288000D

Opis: OSC MEMS 12.2880MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18E-9.600000E

SIT8008BI-12-18E-9.600000E

Opis: OSC MEMS 9.6000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-28.636360D

SIT8008BI-12-18S-28.636360D

Opis: OSC MEMS 28.63636MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-26.000000E

SIT8008BI-12-18S-26.000000E

Opis: OSC MEMS 26.0000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-28.636360E

SIT8008BI-12-18S-28.636360E

Opis: OSC MEMS 28.63636MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18E-90.000000E

SIT8008BI-12-18E-90.000000E

Opis: OSC MEMS 90.0000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-33.333330D

SIT8008BI-12-18S-33.333330D

Opis: OSC MEMS 33.33333MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-38.400000D

SIT8008BI-12-18S-38.400000D

Opis: OSC MEMS 38.4000MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-2.048000E

SIT8008BI-12-18S-2.048000E

Opis: OSC MEMS 2.0480MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-22.579200E

SIT8008BI-12-18S-22.579200E

Opis: OSC MEMS 22.5792MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
SIT8008BI-12-18S-33.333330E

SIT8008BI-12-18S-33.333330E

Opis: OSC MEMS 33.33333MHZ LVCMOS SMD

Producenci: SiTime
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.