Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > 1N6116US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2045146

1N6116US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
250+
$11.523
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N6116US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 20.6V 39.2V
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    20.6V (Max)
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    39.2V
  • Napięcie - podziały (min)
    24.3V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    500W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF
  • Inne nazwy
    1N6116USS
  • temperatura robocza
    -
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    12.8A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose
1N6116A

1N6116A

Opis: TVS DIODE 20.6V 37.4V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6116AUS

1N6116AUS

Opis: TVS DIODE 20.6V 37.4V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6115US

1N6115US

Opis: TVS DIODE 18.2V 34.97V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6116

1N6116

Opis: TVS DIODE 20.6V 39.2V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6115AUS

1N6115AUS

Opis: TVS DIODE 18.2V 33.3V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6117US

1N6117US

Opis: TVS DIODE 22.8V 43.6V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6117

1N6117

Opis: TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6116A

1N6116A

Opis: TVS DIODE 20.6VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6117

1N6117

Opis: TVS DIODE 22.8V 43.6V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6115AUS

1N6115AUS

Opis: TVS DIODE 18.2V 33.3V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6117US

1N6117US

Opis: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6117AUS

1N6117AUS

Opis: TVS DIODE 22.8V 41.6V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6116US

1N6116US

Opis: TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6116AUS

1N6116AUS

Opis: TVS DIODE 20.6V 37.4V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6118

1N6118

Opis: TVS DIODE 25.1VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6117AUS

1N6117AUS

Opis: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N6115US

1N6115US

Opis: TVS DIODE 18.2V 34.8V

Producenci: Semtech
Na stanie
1N6116

1N6116

Opis: TVS DIODE 20.6VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6117A

1N6117A

Opis: TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N6117A

1N6117A

Opis: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść